BYG23M-M3/TR3 Cenas (USD) [714612gab krājumi]
- 1 pcs$0.05176
- 15,000 pcs$0.04691
- Daļas numurs:
- BYG23M-M3/TR3
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG23M-M3/TR3 electronic components. BYG23M-M3/TR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG23M-M3/TR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG23M-M3/TR3 Produkta atribūti
Daļas numurs :
BYG23M-M3/TR3
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Avalanche
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1.5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
75ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-214AC, SMA
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-214AC (SMA)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
Karstās daļas
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF