PMEG3010ER,115 Cenas (USD) [944660gab krājumi]
- 1 pcs$0.04132
- 3,000 pcs$0.04111
- 6,000 pcs$0.03862
- 15,000 pcs$0.03613
- 30,000 pcs$0.03322
- Daļas numurs:
- PMEG3010ER,115
- Ražotājs:
- Nexperia USA Inc.
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123W. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - Masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG3010ER,115 electronic components. PMEG3010ER,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG3010ER,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG3010ER,115 Produkta atribūti
Daļas numurs :
PMEG3010ER,115
Ražotājs :
Nexperia USA Inc.
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123W
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
30V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
360mV @ 1A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
1.5mA @ 30V
Kapacitāte @ Vr, F :
170pF @ 1V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SOD-123W
Piegādātāja ierīces pakete :
CFP3
Darba temperatūra - krustojums :
150°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
UGB8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 25ns 65 Amp IFSM
-
UGB8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 500 Volt 25ns Dual 65 Amp IFSM
-
UGB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
Karstās daļas
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G