Infineon Technologies - IPA65R190E6XKSA1

KEY Part #: K6417895

IPA65R190E6XKSA1 Cenas (USD) [45067gab krājumi]

  • 1 pcs$0.86758
  • 500 pcs$0.79597

Daļas numurs:
IPA65R190E6XKSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPA65R190E6XKSA1 electronic components. IPA65R190E6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA65R190E6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R190E6XKSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPA65R190E6XKSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Sērija : CoolMOS™
Daļas statuss : Not For New Designs
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 650V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 730µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 73nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1620pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 34W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : PG-TO220 Full Pack
Iepakojums / lieta : TO-220-3 Full Pack

Jūs varētu arī interesēt
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.