GeneSiC Semiconductor - GB10SLT12-220

KEY Part #: K6444956

Detalizēts apraksts:: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A SiC Schottky Rectifier

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - JFET, Tiristori - SCR, Tranzistori - programmējams atvienojums and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-220 electronic components. GB10SLT12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10SLT12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : GB10SLT12-220

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC

Sērija : -

Daļas statuss : Obsolete

Diodes tips : Silicon Carbide Schottky

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1200V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 10A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A

Ātrums : No Recovery Time > 500mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 0ns

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 40µA @ 1200V

Kapacitāte @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz

Montāžas tips : Through Hole

Iepakojums / lieta : TO-220-2

Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AC

Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt

RD0506T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA.
RD0106T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A TPFA.
RD0504T-TL-H

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.
VS-50WQ06FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.
SRP600K-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 6A P600.
SRP600B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

Karstās daļas