RS1DLHRVG Cenas (USD) [2000457gab krājumi]
- 1 pcs$0.01849
- Daļas numurs:
- RS1DLHRVG
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - tilta taisngrieži, Strāvas draivera moduļi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - TRIAC and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1DLHRVG electronic components. RS1DLHRVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1DLHRVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1DLHRVG Produkta atribūti
Daļas numurs :
RS1DLHRVG
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
800mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 800mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
150ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete :
Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
-
MBRB10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM
-
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G