Taiwan Semiconductor Corporation - RS1JL R3G

KEY Part #: K6453081

RS1JL R3G Cenas (USD) [1264657gab krājumi]

  • 1 pcs$0.02925

Daļas numurs:
RS1JL R3G
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA. Rectifiers 1A, 600V, GP SMF FAST RECOVERY
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - īpašam nolūkam and Strāvas draivera moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL R3G electronic components. RS1JL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1JL R3G Produkta atribūti

Daļas numurs : RS1JL R3G
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 800mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 250ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete : Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die