Microsemi Corporation - APT28M120B2

KEY Part #: K6394087

APT28M120B2 Cenas (USD) [4081gab krājumi]

  • 1 pcs$11.67516
  • 10 pcs$10.79952
  • 100 pcs$9.22342

Daļas numurs:
APT28M120B2
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - SCR and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APT28M120B2 electronic components. APT28M120B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT28M120B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT28M120B2 Produkta atribūti

Daļas numurs : APT28M120B2
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Sērija : POWER MOS 8™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 2.5mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 300nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 9670pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 1135W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : T-MAX™ [B2]
Iepakojums / lieta : TO-247-3 Variant

Jūs varētu arī interesēt
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.