MBR1020VL Cenas (USD) [1379370gab krājumi]
- 1 pcs$0.02830
- 3,000 pcs$0.02816
- 6,000 pcs$0.02534
- 15,000 pcs$0.02252
- 30,000 pcs$0.02112
- 75,000 pcs$0.01877
- Daļas numurs:
- MBR1020VL
- Ražotājs:
- ON Semiconductor
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123F. Schottky Diodes & Rectifiers 20V 1A Schottky Barrier Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - programmējams atvienojums and Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in ON Semiconductor MBR1020VL electronic components. MBR1020VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR1020VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR1020VL Produkta atribūti
Daļas numurs :
MBR1020VL
Ražotājs :
ON Semiconductor
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123F
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
20V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
340mV @ 1A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
12.4ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
600µA @ 20V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
SOD-123F
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-123F
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 125°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Karstās daļas
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18