Infineon Technologies - IPB60R199CPAATMA1

KEY Part #: K6417842

IPB60R199CPAATMA1 Cenas (USD) [42916gab krājumi]

  • 1 pcs$0.91108
  • 1,000 pcs$0.83581

Daļas numurs:
IPB60R199CPAATMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - Zener - Single and Tranzistori - JFET ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R199CPAATMA1 electronic components. IPB60R199CPAATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R199CPAATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R199CPAATMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPB60R199CPAATMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH TO263-3
Sērija : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Daļas statuss : Not For New Designs
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 1.1mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 43nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1520pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 139W (Tc)
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : D²PAK (TO-263AB)
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Jūs varētu arī interesēt
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • SPA11N65C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.