Vishay Semiconductor Diodes Division - ESH3DHE3/9AT

KEY Part #: K6447547

[1387gab krājumi]


    Daļas numurs:
    ESH3DHE3/9AT
    Ražotājs:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detalizēts apraksts:
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tiristori - SCR - moduļi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3DHE3/9AT electronic components. ESH3DHE3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3DHE3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ESH3DHE3/9AT Produkta atribūti

    Daļas numurs : ESH3DHE3/9AT
    Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    Diodes tips : Standard
    Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 3A
    Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 40ns
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 200V
    Kapacitāte @ Vr, F : -
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
    Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
    Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 175°C

    Jūs varētu arī interesēt
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 8EWS12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 50WQ06FNTRR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.