Microsemi Corporation - APT75GN120JDQ3G

KEY Part #: K6534329

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Strāvas draivera moduļi, Tiristori - TRIAC, Diodes - Zener - masīvi and Tiristori - SCR - moduļi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3G electronic components. APT75GN120JDQ3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GN120JDQ3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : APT75GN120JDQ3G

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Sērija : -

Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key

IGBT tips : Trench Field Stop

Konfigurācija : Single

Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V

Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 124A

Jauda - maks : 379W

Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A

Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 200µA

Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 4.8nF @ 25V

Ievade : Standard

NTC termistors : No

Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)

Montāžas tips : Chassis Mount

Iepakojums / lieta : ISOTOP

Piegādātāja ierīces pakete : ISOTOP®

Jūs varētu arī interesēt

GA400TD25S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.
CPV364M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.
CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.
GA200SA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT UFAST 600V 100A SOT227.
GA200SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT STD 600V 100A SOT227.
STGE50NB60HD

STMicroelectronics

IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.

Karstās daļas