Infineon Technologies - BSM15GD120DN2BOSA1

KEY Part #: K6534573

BSM15GD120DN2BOSA1 Cenas (USD) [1456gab krājumi]

  • 1 pcs$29.72347

Daļas numurs:
BSM15GD120DN2BOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - TRIAC, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies BSM15GD120DN2BOSA1 electronic components. BSM15GD120DN2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM15GD120DN2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM15GD120DN2BOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : BSM15GD120DN2BOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Sērija : -
Daļas statuss : Not For New Designs
IGBT tips : -
Konfigurācija : Three Phase Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 25A
Jauda - maks : 145W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 15A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 500µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 100pF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.