IDW30E65D1FKSA1 Cenas (USD) [33046gab krājumi]
- 1 pcs$0.76930
- 10 pcs$0.68945
- 100 pcs$0.55432
- 500 pcs$0.45543
- 1,000 pcs$0.37735
- Daļas numurs:
- IDW30E65D1FKSA1
- Ražotājs:
- Infineon Technologies
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - programmējams atvienojums and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Infineon Technologies IDW30E65D1FKSA1 electronic components. IDW30E65D1FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW30E65D1FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDW30E65D1FKSA1 Produkta atribūti
Daļas numurs :
IDW30E65D1FKSA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
DIODE GEN PURP 650V 60A TO247-3
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
650V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
60A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 30A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
115ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
40µA @ 650V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-247-3
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-247-3
Darba temperatūra - krustojums :
-40°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
SE10FDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier
-
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
Karstās daļas
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18