Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20ETF02PBF

KEY Part #: K6445470

VS-20ETF02PBF Cenas (USD) [2097gab krājumi]

  • 1,000 pcs$0.84508

Daļas numurs:
VS-20ETF02PBF
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - SCR - moduļi and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ETF02PBF electronic components. VS-20ETF02PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ETF02PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20ETF02PBF Produkta atribūti

Daļas numurs : VS-20ETF02PBF
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
Sērija : -
Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 20A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 20A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 160ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : TO-220-2
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AC
Darba temperatūra - krustojums : -40°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.