Infineon Technologies - IRFB4229PBF

KEY Part #: K6399365

IRFB4229PBF Cenas (USD) [21647gab krājumi]

  • 1 pcs$1.71873
  • 10 pcs$1.53584
  • 100 pcs$1.25930
  • 500 pcs$0.96744
  • 1,000 pcs$0.81592

Daļas numurs:
IRFB4229PBF
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - Zener - Single, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - moduļi and Diodes - taisngrieži - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IRFB4229PBF electronic components. IRFB4229PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4229PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB4229PBF Produkta atribūti

Daļas numurs : IRFB4229PBF
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Sērija : HEXFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 250V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 110nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 4560pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 330W (Tc)
Darbības temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AB
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.