Infineon Technologies - FF200R17KE3HOSA1

KEY Part #: K6533672

FF200R17KE3HOSA1 Cenas (USD) [668gab krājumi]

  • 1 pcs$69.45387

Daļas numurs:
FF200R17KE3HOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE 1700V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - JFET and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies FF200R17KE3HOSA1 electronic components. FF200R17KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF200R17KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R17KE3HOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : FF200R17KE3HOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT MODULE 1700V 200A
Sērija : C
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Half Bridge
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1700V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 310A
Jauda - maks : 1250W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 200A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 3mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 18nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -40°C ~ 125°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.