Microsemi Corporation - JAN1N1206A

KEY Part #: K6445535

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Tiristori - TRIAC, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Diodes - taisngrieži - masīvi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N1206A electronic components. JAN1N1206A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N1206A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : JAN1N1206A

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Sērija : Military, MIL-PRF-19500/260

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Standard

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 12A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 38A

Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 600V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Chassis, Stud Mount

Iepakojums / lieta : DO-203AA, DO-4, Stud

Piegādātāja ierīces pakete : DO-203AA (DO-4)

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt

C2D05120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.
VS-20ETF04FPPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.
BAT54WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.
IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.
IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.
IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

Karstās daļas