Taiwan Semiconductor Corporation - SF2L4GHB0G

KEY Part #: K6434218

SF2L4GHB0G Cenas (USD) [1391688gab krājumi]

  • 1 pcs$0.02658

Daļas numurs:
SF2L4GHB0G
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - SCR, Diodes - RF, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR - moduļi, Tiristori - TRIAC and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SF2L4GHB0G electronic components. SF2L4GHB0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF2L4GHB0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SF2L4GHB0G Produkta atribūti

Daļas numurs : SF2L4GHB0G
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
Sērija : Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 2A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 2A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 35ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 1µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : DO-204AC, DO-15, Axial
Piegādātāja ierīces pakete : DO-204AC (DO-15)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • MMBD4448WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWS16STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-HFA08SD60SR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3

  • VS-8EWF04STRR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3