Diodes Incorporated - ZXMN6A11GTA

KEY Part #: K6416179

ZXMN6A11GTA Cenas (USD) [266563gab krājumi]

  • 1 pcs$0.13876
  • 1,000 pcs$0.12460

Daļas numurs:
ZXMN6A11GTA
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tiristori - TRIAC, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Diodes - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11GTA electronic components. ZXMN6A11GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A11GTA Produkta atribūti

Daļas numurs : ZXMN6A11GTA
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 5.7nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 40V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 2W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-223
Iepakojums / lieta : TO-261-4, TO-261AA

Jūs varētu arī interesēt
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.