Vishay Siliconix - SI7430DP-T1-E3

KEY Part #: K6418499

SI7430DP-T1-E3 Cenas (USD) [66214gab krājumi]

  • 1 pcs$0.59052
  • 3,000 pcs$0.49794

Daļas numurs:
SI7430DP-T1-E3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Strāvas draivera moduļi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SI7430DP-T1-E3 electronic components. SI7430DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7430DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7430DP-T1-E3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SI7430DP-T1-E3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 150V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 43nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1735pF @ 50V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SO-8
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SO-8

Jūs varētu arī interesēt
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.