Microsemi Corporation - APTGT50H60T3G

KEY Part #: K6532650

APTGT50H60T3G Cenas (USD) [1633gab krājumi]

  • 1 pcs$27.83043
  • 10 pcs$26.19128
  • 25 pcs$24.55453
  • 100 pcs$23.40865

Daļas numurs:
APTGT50H60T3G
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Strāvas draivera moduļi, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - tilta taisngrieži and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T3G electronic components. APTGT50H60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T3G Produkta atribūti

Daļas numurs : APTGT50H60T3G
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Full Bridge Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 600V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 80A
Jauda - maks : 176W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 250µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SP3
Piegādātāja ierīces pakete : SP3

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.