Infineon Technologies - FF1000R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533599

FF1000R17IE4BOSA1 Cenas (USD) [137gab krājumi]

  • 1 pcs$334.39683

Daļas numurs:
FF1000R17IE4BOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - RF and Diodes - Zener - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies FF1000R17IE4BOSA1 electronic components. FF1000R17IE4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF1000R17IE4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF1000R17IE4BOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : FF1000R17IE4BOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : -
Konfigurācija : 2 Independent
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1700V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : -
Jauda - maks : 6250W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 5mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 81nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.