Microsemi Corporation - APT100GT120JU3

KEY Part #: K6532491

APT100GT120JU3 Cenas (USD) [2567gab krājumi]

  • 1 pcs$16.62320
  • 10 pcs$15.37785
  • 25 pcs$14.13121
  • 100 pcs$13.13363
  • 250 pcs$12.05303

Daļas numurs:
APT100GT120JU3
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - JFET, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristori - SCR, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GT120JU3 electronic components. APT100GT120JU3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GT120JU3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JU3 Produkta atribūti

Daļas numurs : APT100GT120JU3
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : IGBT 1200V 140A 480W SOT227
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Single
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 140A
Jauda - maks : 480W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 5mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 7.2nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : ISOTOP
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-227

Jūs varētu arī interesēt
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.