BAS21-HE3-18 Cenas (USD) [2706842gab krājumi]
- 1 pcs$0.01366
- 10,000 pcs$0.01264
- Daļas numurs:
- BAS21-HE3-18
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 625mA 50ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tiristori - TRIAC ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS21-HE3-18 electronic components. BAS21-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS21-HE3-18 Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAS21-HE3-18
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
200mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Piegādātāja ierīces pakete :
SOT-23
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A