VS-ST173S10PFP1 Cenas (USD) [731gab krājumi]
- 1 pcs$63.51274
- 12 pcs$60.48852
- Daļas numurs:
- VS-ST173S10PFP1
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- SCR 1000V 275A TO-93. SCRs Thyristors - TO-93 COMP RND-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - TRIAC, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST173S10PFP1 electronic components. VS-ST173S10PFP1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST173S10PFP1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST173S10PFP1 Produkta atribūti
Daļas numurs :
VS-ST173S10PFP1
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
SCR 1000V 275A TO-93
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Spriegums - izslēgts :
1kV
Spriegums - vārtu palaišanas ierīce (Vgt) (maks.) :
3V
Pašreizējais - vārtu aktivizētājs (Igt) (maksimums) :
200mA
Spriegums - ieslēgtā stāvoklī (Vtm) (maks.) :
2.07V
Pašreizējais - ieslēgtā stāvoklī (tas (AV)) (maksimāli) :
175A
Pašreizējais - ieslēgtā stāvoklī (tas (RMS)) (maksimāli) :
275A
Pašreizējais - aizturēts (Ih) (maksimāli) :
600mA
Pašreizējais - izslēgts (maksimāli) :
40mA
Pašreizējais - nepārsniedzams pārspriegums 50, 60 Hz (Itsm) :
3940A, 4120A
SCR tips :
Standard Recovery
Darbības temperatūra :
-40°C ~ 125°C
Montāžas tips :
Chassis, Stud Mount
Iepakojums / lieta :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-209AB (TO-93)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAS16E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
Karstās daļas
- C702CB
- VS-ST083S12MFK2L
- VS-ST083S10PFP0
- T500067004AQ
- JANTX2N2328A
- CR8CM-12B#BH0
- CR6FM-12B#BH0
- BT145-800RTQ
- BT169HML
- CS220-16P
- CS220-25B
- JAN2N2325S
- 2N2324U4
- 2N2324A
- 2N685
- JANTX2N2329A
- T72H064564DN
- T72H0645B4DN
- T72H104524DN
- T72H044544DN
- T7SH104074DN
- T7SH1240B4DN
- T72H023544DN
- T72H0835B4DN
- NYC008-6JG
- NXL0840,412
- T510055004AQ
- MCR100-004
- TN805-600H
- S6008L58
- S6006F1
- S4008VS3
- S2006F1-TYPE41
- 16TTS12STRR
- S2006L
- JANTXV2N2325S
- 2N2323A
- VS-10TTS08STRRPBF
- BTW68-600RG
- X0205NA 1BA2