Microsemi Corporation - APT200GN60J

KEY Part #: K6533708

APT200GN60J Cenas (USD) [2736gab krājumi]

  • 1 pcs$15.83096
  • 10 pcs$14.64352
  • 25 pcs$13.45627
  • 100 pcs$12.50646
  • 250 pcs$11.47744

Daļas numurs:
APT200GN60J
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
IGBT 600V 283A 682W SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - SCR, Tiristori - TRIAC, Strāvas draivera moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60J electronic components. APT200GN60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GN60J Produkta atribūti

Daļas numurs : APT200GN60J
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : IGBT 600V 283A 682W SOT227
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Single
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 600V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 283A
Jauda - maks : 682W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 25µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 14.1nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : ISOTOP
Piegādātāja ierīces pakete : ISOTOP®

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

  • VS-GB75SA120UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MODULE IGBT SOT-227.