Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST230S16P0PBF

KEY Part #: K6458700

VS-ST230S16P0PBF Cenas (USD) [955gab krājumi]

  • 1 pcs$46.30424
  • 10 pcs$40.91912
  • 25 pcs$39.80544
  • 100 pcs$37.02189

Daļas numurs:
VS-ST230S16P0PBF
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
SCR 1600V 360A TO-93. SCR Modules RECOMMENDED ALT 78-VS-ST230S14P0
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST230S16P0PBF electronic components. VS-ST230S16P0PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST230S16P0PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST230S16P0PBF Produkta atribūti

Daļas numurs : VS-ST230S16P0PBF
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : SCR 1600V 360A TO-93
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Spriegums - izslēgts : 1.6kV
Spriegums - vārtu palaišanas ierīce (Vgt) (maks.) : 3V
Pašreizējais - vārtu aktivizētājs (Igt) (maksimums) : 150mA
Spriegums - ieslēgtā stāvoklī (Vtm) (maks.) : 1.55V
Pašreizējais - ieslēgtā stāvoklī (tas (AV)) (maksimāli) : 230A
Pašreizējais - ieslēgtā stāvoklī (tas (RMS)) (maksimāli) : 360A
Pašreizējais - aizturēts (Ih) (maksimāli) : 600mA
Pašreizējais - izslēgts (maksimāli) : 30mA
Pašreizējais - nepārsniedzams pārspriegums 50, 60 Hz (Itsm) : 4800A, 5000A
SCR tips : Standard Recovery
Darbības temperatūra : -40°C ~ 125°C
Montāžas tips : Chassis, Stud Mount
Iepakojums / lieta : TO-209AB, TO-93-4, Stud
Piegādātāja ierīces pakete : TO-209AB (TO-93)

Jūs varētu arī interesēt
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode