BAV102-GS18 Cenas (USD) [3225988gab krājumi]
- 1 pcs$0.01147
- 10,000 pcs$0.01080
- Daļas numurs:
- BAV102-GS18
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 200V 500mW
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Strāvas draivera moduļi, Diodes - tilta taisngrieži and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV102-GS18 electronic components. BAV102-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV102-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV102-GS18 Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAV102-GS18
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
150V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
250mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 150V
Kapacitāte @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-80 MiniMELF
Darba temperatūra - krustojums :
175°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- SF10JG-A
- GI816-E3/73
- FR101TA
- IDH12G65C5XKSA1
- VS-10ETF12SPBF
- JANTX1N1190
- SS15HE3_A/H
- SRP100K-E3/54
- S5GHE3/9AT
- SK33/TR13
- CDBK0530-HF
- UF4001-TP
- D251N08BXPSA1
- MSS1P2U-M3/89A
- UH2BHE3/5BT
- 1N1128AR
- SL44HE3/57T
- SS8P2L-E3/87A
- S1B-E3/51T
- 245NQ015R
- BYD33JGP-E3/54
- STTH1R04
- R5100810XXWA
- 1N5401
- SIDC03D60C6X1SA2
- 1N914A
- RL205-TP
- RS2D-13
- FR606-T
- 10BQ100
- SF11-T
- APD245VD-E1
- 1N4936-AP
- DSI30-08AS-TUB
- FESF8AT-E3/45
- RO 2BV1
- ES3A-M3/9AT
- EGP10DE-E3/54
- U1B-E3/61T
- 1N3957GP-E3/54