Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS21-E3-18

KEY Part #: K6458594

BAS21-E3-18 Cenas (USD) [2850394gab krājumi]

  • 1 pcs$0.01298
  • 10,000 pcs$0.01200

Daļas numurs:
BAS21-E3-18
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt2.5A 50ns
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tiristori - SCR, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAS21-E3-18 electronic components. BAS21-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS21-E3-18 Produkta atribūti

Daļas numurs : BAS21-E3-18
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 200mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA
Ātrums : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100nA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-23
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode