Samsung Semiconductor - K4AAG085WA-BCTD

KEY Part #: K7359619

[21058gab krājumi]


    Daļas numurs:
    K4AAG085WA-BCTD
    Ražotājs:
    Samsung Semiconductor
    Detalizēts apraksts:
    16 Gb 2G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: HBM Aquabolt, LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR3, SLC Nand, LPDDR5, HBM Flarebolt and MODULE ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4AAG085WA-BCTD electronic components. K4AAG085WA-BCTD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4AAG085WA-BCTD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4AAG085WA-BCTD Produkta atribūti

    Daļas numurs : K4AAG085WA-BCTD
    Ražotājs : Samsung Semiconductor
    Apraksts : 16 Gb 2G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Sērija : DDR4
    blīvums : 16 Gb
    Org. : 2G x 8
    ātrums : 2666 Mbps
    spriegums : 1.2 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    paka : 78FBGA
    Preces statuss : Mass Production

    Jūs varētu arī interesēt
    • KHA843801B-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA883901B-MC12

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MN13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.