GP10T-E3/73 Cenas (USD) [921392gab krājumi]
- 1 pcs$0.04014
- 9,000 pcs$0.03530
- Daļas numurs:
- GP10T-E3/73
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL. Rectifiers 1300 Volt 1.0 Amp 25 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - SCR, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP10T-E3/73 electronic components. GP10T-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP10T-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP10T-E3/73 Produkta atribūti
Daļas numurs :
GP10T-E3/73
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO204AL
Sērija :
SUPERECTIFIER®
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1300V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
3µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 1300V
Kapacitāte @ Vr, F :
5pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
DO-204AL, DO-41, Axial
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-204AL (DO-41)
Darba temperatūra - krustojums :
-65°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE30AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08