VS-ST180S12P0V Cenas (USD) [869gab krājumi]
- 1 pcs$50.91328
- 10 pcs$48.28707
- 25 pcs$46.97347
- 100 pcs$40.70975
- Daļas numurs:
- VS-ST180S12P0V
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93. SCRs 1200 Volt 200 Amp
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - JFET, Diodes - Zener - masīvi, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST180S12P0V electronic components. VS-ST180S12P0V can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST180S12P0V, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST180S12P0V Produkta atribūti
Daļas numurs :
VS-ST180S12P0V
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Spriegums - izslēgts :
1.2kV
Spriegums - vārtu palaišanas ierīce (Vgt) (maks.) :
3V
Pašreizējais - vārtu aktivizētājs (Igt) (maksimums) :
150mA
Spriegums - ieslēgtā stāvoklī (Vtm) (maks.) :
1.75V
Pašreizējais - ieslēgtā stāvoklī (tas (AV)) (maksimāli) :
200A
Pašreizējais - ieslēgtā stāvoklī (tas (RMS)) (maksimāli) :
314A
Pašreizējais - aizturēts (Ih) (maksimāli) :
600mA
Pašreizējais - izslēgts (maksimāli) :
30mA
Pašreizējais - nepārsniedzams pārspriegums 50, 60 Hz (Itsm) :
5000A, 5230A
SCR tips :
Standard Recovery
Darbības temperatūra :
-40°C ~ 125°C
Montāžas tips :
Chassis, Stud Mount
Iepakojums / lieta :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-209AB (TO-93)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- C702CP
- T9KC600603DH
- T500047004AQ
- JANTX2N2325A
- MCR100-6-AP
- CPS041-CS18B-WN
- CS220-8D
- CS202-4B
- 2N2323AS
- 2N682A
- 2N681
- CS218I-30D
- CR5AS-12A#B01
- JAN2N2328S
- JAN2N2326A
- JANTXV2N2324
- JANTX2N2326S
- TIC116D-S
- TIC126D-S
- TYN16X-800RT,127
- SK006R
- CR02AM-8#F00
- 2N6394
- S4008FS31
- S2006VS2TP
- EC103B1AP
- EC103B1RP
- S4016R
- S8012R
- S8008R
- S2012DRP
- S8010V
- S6008V
- S8008V
- 16TTS12
- BT258X-600R,127
- JANTX2N2325U4
- JANTXV2N2323AS
- T72H1642K4DN
- S6010FS31