Vishay Siliconix - SI8409DB-T1-E1

KEY Part #: K6416155

SI8409DB-T1-E1 Cenas (USD) [189774gab krājumi]

  • 1 pcs$0.19588
  • 3,000 pcs$0.19490

Daļas numurs:
SI8409DB-T1-E1
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - JFET and Tiristori - SCR ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SI8409DB-T1-E1 electronic components. SI8409DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8409DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8409DB-T1-E1 Produkta atribūti

Daļas numurs : SI8409DB-T1-E1
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : P-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 1.4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
VG (maksimāli) : ±12V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 1.47W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : 4-Microfoot
Iepakojums / lieta : 4-XFBGA, CSPBGA

Jūs varētu arī interesēt
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.