Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. DRAM
  4. LPDDR4X
  5. K4UBE3D4AM-GFCL

Samsung Semiconductor - K4UBE3D4AM-GFCL

KEY Part #: K7359749

[14118gab krājumi]

    Daļas numurs:
    K4UBE3D4AM-GFCL
    Ražotājs:
    Samsung Semiconductor
    Detalizēts apraksts:
    32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: DDR4, LPDDR5, HBM Flarebolt, HBM Aquabolt, GDDR6, LPDDR4, SLC Nand and LPDDR4X ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4UBE3D4AM-GFCL electronic components. K4UBE3D4AM-GFCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4UBE3D4AM-GFCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4UBE3D4AM-GFCL Produkta atribūti

    Daļas numurs : K4UBE3D4AM-GFCL
    Ražotājs : Samsung Semiconductor
    Apraksts : 32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    Sērija : DDR3
    blīvums : 32 Gb
    Org. : x32
    ātrums : 4266 Mbps
    spriegums : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    paka : 200FBGA
    Preces statuss : Mass Production

    Jaunākās ziņas

    Unlocking the Power of Cloud Computing
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Jūs varētu arī interesēt
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    Karstās daļas