Vishay Siliconix - SI7942DP-T1-E3

KEY Part #: K6525111

SI7942DP-T1-E3 Cenas (USD) [68346gab krājumi]

  • 1 pcs$0.57210
  • 3,000 pcs$0.48242

Daļas numurs:
SI7942DP-T1-E3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - SCR - moduļi, Tiristori - SCR, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - tilta taisngrieži and Diodes - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SI7942DP-T1-E3 electronic components. SI7942DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7942DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7942DP-T1-E3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SI7942DP-T1-E3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : 2 N-Channel (Dual)
FET iezīme : Logic Level Gate
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 24nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
Jauda - maks : 1.4W
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SO-8 Dual
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SO-8 Dual