Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41B-E3/97

KEY Part #: K6458284

GL41B-E3/97 Cenas (USD) [1025340gab krājumi]

  • 1 pcs$0.03807
  • 10,000 pcs$0.03788

Daļas numurs:
GL41B-E3/97
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Strāvas draivera moduļi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - JFET and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41B-E3/97 electronic components. GL41B-E3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41B-E3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41B-E3/97 Produkta atribūti

Daļas numurs : GL41B-E3/97
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Sērija : SUPERECTIFIER®
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-213AB, MELF (Glass)
Piegādātāja ierīces pakete : DO-213AB
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • S1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt