Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV203-GS08

KEY Part #: K6458572

BAV203-GS08 Cenas (USD) [2548268gab krājumi]

  • 1 pcs$0.01451
  • 2,500 pcs$0.01398
  • 5,000 pcs$0.01261
  • 12,500 pcs$0.01096
  • 25,000 pcs$0.00987
  • 62,500 pcs$0.00877
  • 125,000 pcs$0.00731

Daļas numurs:
BAV203-GS08
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 625mA
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - JFET, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tiristori - SCR ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV203-GS08 electronic components. BAV203-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV203-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV203-GS08 Produkta atribūti

Daļas numurs : BAV203-GS08
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 250mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100nA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SOD-80 Variant
Piegādātāja ierīces pakete : SOD-80 QuadroMELF
Darba temperatūra - krustojums : 175°C (Max)

Jūs varētu arī interesēt
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR