LL4448-GS18 Cenas (USD) [4461899gab krājumi]
- 1 pcs$0.00829
- 10,000 pcs$0.00781
- Daļas numurs:
- LL4448-GS18
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 100mA 2.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4448-GS18 electronic components. LL4448-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4448-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4448-GS18 Produkta atribūti
Daļas numurs :
LL4448-GS18
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
75V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
300mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 50mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
8ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
25nA @ 20V
Kapacitāte @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-80 MiniMELF
Darba temperatūra - krustojums :
175°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T