BAS19,215 Cenas (USD) [3986419gab krājumi]
- 1 pcs$0.00979
- 3,000 pcs$0.00974
- 6,000 pcs$0.00879
- 15,000 pcs$0.00764
- 30,000 pcs$0.00688
- 75,000 pcs$0.00611
- 150,000 pcs$0.00509
- Daļas numurs:
- BAS19,215
- Ražotājs:
- Nexperia USA Inc.
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - SCR, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - īpašam nolūkam and Diodes - taisngrieži - vienreizēji ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS19,215 electronic components. BAS19,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19,215 Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAS19,215
Ražotājs :
Nexperia USA Inc.
Apraksts :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
200mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Ātrums :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-236AB
Darba temperatūra - krustojums :
150°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18