LL4150-M-08 Cenas (USD) [3225988gab krājumi]
- 1 pcs$0.01147
- 12,500 pcs$0.01080
- Daļas numurs:
- LL4150-M-08
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE GENPURP MINIMELFe2M
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi and Diodes - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4150-M-08 electronic components. LL4150-M-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4150-M-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4150-M-08 Produkta atribūti
Daļas numurs :
LL4150-M-08
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
50V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
600mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
4ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 50V
Kapacitāte @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-80 MiniMELF
Darba temperatūra - krustojums :
175°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97