LL4148-GS18 Cenas (USD) [4413469gab krājumi]
- 1 pcs$0.00838
- 10,000 pcs$0.00789
- 30,000 pcs$0.00710
- 50,000 pcs$0.00631
- 100,000 pcs$0.00592
- 250,000 pcs$0.00526
- Daļas numurs:
- LL4148-GS18
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 50 mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Diodes - Zener - Single ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4148-GS18 electronic components. LL4148-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4148-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4148-GS18 Produkta atribūti
Daļas numurs :
LL4148-GS18
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
75V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
300mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 50mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
4ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 75V
Kapacitāte @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-80 MiniMELF
Darba temperatūra - krustojums :
-65°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G