Vishay Semiconductor Diodes Division - UF5408-E3/54

KEY Part #: K6455802

UF5408-E3/54 Cenas (USD) [392353gab krājumi]

  • 1 pcs$0.10472
  • 1,400 pcs$0.10420
  • 2,800 pcs$0.09501
  • 7,000 pcs$0.08888
  • 9,800 pcs$0.08275

Daļas numurs:
UF5408-E3/54
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Rectifiers Vr/1000V Io/3A
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Diodes - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UF5408-E3/54 electronic components. UF5408-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF5408-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF5408-E3/54 Produkta atribūti

Daļas numurs : UF5408-E3/54
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 75ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F : 36pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : DO-201AD, Axial
Piegādātāja ierīces pakete : DO-201AD
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4448W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns