Taiwan Semiconductor Corporation - RS1JL RHG

KEY Part #: K6437447

RS1JL RHG Cenas (USD) [2200504gab krājumi]

  • 1 pcs$0.01681

Daļas numurs:
RS1JL RHG
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Tiristori - SCR, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RHG electronic components. RS1JL RHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JL RHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1JL RHG Produkta atribūti

Daļas numurs : RS1JL RHG
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 800mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 250ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete : Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • MSC010SDA070K

    Microsemi Corporation

    DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD

  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • VB30100S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,TRENCH SKY RECT.

  • VB30120S-E3/8W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • NSB8AT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM