BAV101-GS08 Cenas (USD) [2587754gab krājumi]
- 1 pcs$0.01429
- 12,500 pcs$0.01080
- Daļas numurs:
- BAV101-GS08
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 120V 500mW
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - SCR, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam and Strāvas draivera moduļi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV101-GS08 electronic components. BAV101-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV101-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV101-GS08 Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAV101-GS08
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
250mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Piegādātāja ierīces pakete :
SOD-80 MiniMELF
Darba temperatūra - krustojums :
175°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08